خبرگزاری دانشجویان ایران - تهران
سرویس: جامعه اطلاعاتی -فناوری اطلاعات

مهندسان انگلیسی روش جدیدی برای ساخت ترانزیستور‌های دوقطبی که دو برابر ترانزیستور‌های فعلی سرعت دارند، ابداع کردند.

به گزارش سرویس فن‌آوری اطلاعات خبرگزاری دانشجویان ایران (ایسنا)، این ترانزیستور‌ها ابزارهای ریزتراشه‌ای جامد‌ی هستند که در تلفن‌های همراه و سیستم‌های مختلف بی‌سیم کاربرد دارند.

مهندسان آموزشگاه علوم رایانه و الکترونیک، تحقیقاتی را بر روی یک تکنیک استاندارد دو قطبی سیلیکون به همراه فلوئور انجام دادند تا سرعت سریع‌ترین ترانزیستور قبلی جهان بهبود یابد.